Стр. 1  

12 страниц

Распространяется на единичные охладители воздушных систем охлаждения общего назначения, предназначенные для полупроводниковых силовых приборов штыревого, таблеточного и фланцевого исполнений, а также для модулей.

 Скачать PDF

Оглавление

Приложение 1 Обозначения и пояснения

Приложение 2 Перечень ключевых слов/дескрипторов

 
Дата введения 01.07.1988
Добавлен в базу 01.09.2013
Завершение срока действия 01.07.1988
Актуализация 01.01.2021

Этот документ находится в:

Организации:

01.12.1986 Утвержден Госстандарт СССР
Издан Издательство стандартов 1987 г.
Стр. 1
стр. 1
Стр. 2
стр. 2
Стр. 3
стр. 3
Стр. 4
стр. 4
Стр. 5
стр. 5
Стр. 6
стр. 6
Стр. 7
стр. 7
Стр. 8
стр. 8
Стр. 9
стр. 9
Стр. 10
стр. 10
Стр. 11
стр. 11
Стр. 12
стр. 12

СТАНДАРТ СЭВ

СТ СЭВ 1657—86

СОВЕТ

ЭКОНОМИЧЕСКОЙ

ВЗАИМОПОМОЩИ

Приборы полупроводниковые силовые

ОХЛАДИТЕЛИ ВОЗДУШНЫХ СИСТЕМ ОХЛАЖДЕНИЯ

Взамен СТ СЭВ 1657—79

Габаритные и присоединительные размеры

Группа Э22

Настоящий стандарт СЭВ является обязательным в рамках Конвенции о применении стандартов СЭВ

Настоящий стандарт СЭВ распространяется на единичные охладители воздушных систем охлаждения общего назначения (далее — охладители), предназначенные для полупроводниковых силовых приборов штыревого, таблеточного и фланцевого исполнений, а также для модулей.

1. Габаритные и присоединительные размеры охладителей для силовых полупроводниковых приборов штыревого исполнения должны соответствовать указанным на черт. 1, в табл. 1 и на черт. 2, в табл. 2.

Утвержден Постоянной Комиссией по сотрудничеству в области стандартизации Хошимин, декабрь 1986 г.



5


Черт. 1


ИНФОРМАЦИОННОЕ ПРИЛОЖЕНИЕ 1

ОБОЗНАЧЕНИЯ И ПОЯСНЕНИЯ

В — ширина охладителя;

F, F\ — высота охладителя;

L — длина охладителя (вдоль ребер);

W — диаметр отверстия под монтажный винт полупроводникового прибора; б — глубина резьбового отверстия под монтажный винт полупроводникового прибора;

А—высота полупроводникового прибора таблеточного исполнения;

D1—диаметр контактной поверхности охладителя;

Д — толщина токоотвода;

D2 — диаметр окружности расположения отверстий для монтажа полупроводникового прибора;

Wi — диаметр отверстия для монтажа полупроводникового прибора на охладителе.

Другие обозначения — по СТ СЭВ 3161—81.

ИНФОРМАЦИОННОЕ ПРИЛОЖЕНИЕ 2

ПЕРЕЧЕНЬ КЛЮЧЕВЫХ СЛОВ/ДЕСКРИПТОРОВ1

Ключевые слова/дескрипторы:    приборы    полупроводниковые,    охладители,

размеры линейные (габаритные), размеры установочные (присоединительные).

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1.    Автор — представитель СССР в Совете Международной организации по экономическому и научно-техническому сотрудничеству в области электротехнической промышленности «Интерэлектро».

2.    Тема — 33.900.32—84.

3.    Стандарт СЭВ утвержден на 61-м заседании ПК.С.

4.    Сроки начала применения стандарта СЭВ:

Сроки начала применения стандарта СЭВ

Страны — члены СЭВ

в договорно-правовых отношениях по экономическому и научно-техническому сотрудничеству

в народном хозяйстве

НРБ

Январь 1989 г.

Январь 1989 г.

ВНР

—

—

СРВ

ГДР

Январь 1989 г.

Январь 1989 г.

Республика Куба

МНР

ПНР

—

—

СРР

—

—

СССР

Июль 1988 г.

Июль 1988 г.

ЧССР

Январь 1989 г.

Январь 1989 г.

5. Срок проверки — 1993 г.

Сдано в наб. 27 03.87 Подп. в печ. 04.06.87 0,75 уел. п. л. 0,75 уел. кр.-отт. 0,50 уч.-изд. л.

Тираж 860 Цена 3 коп.

СТ СЭВ 1657—86

Черт. 2

Таблица 1

mm

в

F

L

^min

Dt

Номер

чертежа

35

40-1,6

60-0,74

М5

11

18± 1

1а

Мб

12

М8

14

22±1

43

—

40-0,74

М5

11

18=Ы

16

60-0,74

Мб

12

М8

14

22 ± 1

М10

18

28±1

80-0,74

М8

14

22 ± 1

мю

18

28 ±1

М12

32+2

2 Зак. 1047

гпш


Продолжение табл. 1


в


W


min


D!


Номер

чертежа


40-


1,6


60-0,


74


Мб


М8


Мб


12


14


12


18 ± 1


22±1


18±1


60-1,9


М8


14


22± 1


ММ


18


28+1


45


Мб


12


18±1


М8


14


22±1


80-1,9


80-


0,74


М10


М12


М20Х 1,5


М10


М12


18


18


22


18


28±1


32±2


38±3


48±3


28±1


32±2


70


100-2,2


80-0,74


М16Х1,5


16


38±3


М20Х1,5


18


1а


M24XU5


Мб


22


12


48±3


18± 1


50-о,


74


М12


18


32±2


М16Х1.5


38d=3


Мб


12


18;


75


75-


0,74


75-о,


74


М12


18


32±2


М16Х1,5


38±3


Мб


12


18±1


1 00-0,87


М12


32±2


М16Х 1,5


38 ±3


Мб


12


18± 1


М12


32±2


100


Ю0_,2


65-0,74


М16Х1,5


18


38 ±3


M20XU5


22


48± 3


Продолжение табл. 1

гпш

в

F

L

W

°min

80-0.74

М12

32±2

М12

18

1 00-0,87

M16XU5

38 ±3

М20Х1.5

100

1 1 0 — 0,87

М24Х1.5

22

48±3

М12

32±2

Ю0_2,2

140-,

М16Х1.5

18

38±3

22

48±3

160-1

М20Х 1,5

18

38±3

22

48±3

18

38±3

110

1 10 — 0,87

22

48±3

М24Х1»5

М16Х1.5

16

38±3

1 00 —0 >87

18

22

48±3

125

125-2,5

150-1

М20Х 1,5

18

38±3

22

160-;

18

48±3

M24XU5

22

M16XU5

16

38±3;

48+3

200

140-2,5

150-г,

М20Х1.5

18

200-1,,5

22

М24 X1,5

48 ±3

Номер

чертежа

ia

mm    Таблица    2

в

F

L

W

®тах

Dt

102

102—2,2

127-0,87

13

8

28±1

127

127-2)5

152-1

21

10

32±2

160

160-2,5

230-biB

13

48±3

2. Габаритные и присоединительные размеры охладителей для силовых полупроводниковых приборов таблеточного исполнения с двусторонним охлаждением должны соответствовать указанным на черт. 3 и в табл. 3.

Черт. 3

Таблица 3

шш

в

F

L

А

Fi max

D,

A

max

100

50—,,е

100-0,87*,

120-0,87

14±1

122

22± 1; 30 + 2

3

20±2

128

26±2

135

135

48-1,6

100—о,871 150-i

20±2

125

30+2; 36+2; 42 + 3

4

26±2

132

170

60—, ,9

150-1

20±2

150

42 ±3; 55±3

26±2

156

70-,,9

100—0,87

20+2

170

42+3

26+2

176

65+3

150-,

20 ±2

170

42+3;

55±3

26±2

176

35+2

185

180

65-,,9

100-о,87; 160-1

20+2

162

5

2б±2

168

35+2

178

200

35-1,6

130-,

14+1

94

55 ±3; 65±3; 82+3

70_„9

180-,;

200-^15

20+2

172

26±2

178

35+2

188

220

90-2,2

130-,;

200-i,i5;

205-Ы5

20+2

212

55+3; 65 ±3; 82+3

26±2

218

35±2

228

250

1С0 —2»2

200-1,15; 250-!,is

20+2

234

55+3; 65 ± 3; 82+3; 105+3

6

26+2

240

35+2

250

3. Габаритные и присоединительные размеры охладителей для силовых полупроводниковых приборов таблеточного исполнения с односторонним охлаждением должны соответствовать указанным на черт. 4 и в табл. 4.

Черт. 4 mm

Таблица 4

в

F

L

Dt

70

80-0*74

22±1; 36±2

100

100 — 2,2

65-0*74*, 1 00 —0,87» 140-,

55±3

110

1 Ю-0.87;

36±2; 55±3

126

130 — 2*5

150-!

65±3;

240

70-1,9

205-Ы5

55 ±3

4. Габаритные и присоединительные размеры охладителей для силовых полупроводниковых приборов фланцевого исполнения должны соответствовать указанным на черт. 5 и в табл. 5.

Таблица 5

в

F

L

ог

W,

35

40-,,б

60 — 0,74

26±0,1

М3

45

«я>

Т

О

со

31 ±0,16; 34±0,16

М4

80-0.74

4 2 ± 0,16

М5

70

100-2.2

34±0,16

М4

42±0,16

М5

75

28-,.,

60—0,74

31±0,16

М4

100

95-2,2

65-о,74; 80-о,74; Ю0-о,87; 120-о,87; 340-ь 160-ь 200-Ы5

50+0,16

Мб

31+0,16; 34±0,16

М4

по

100-2,2

1 Ю-0,87

42±0,16; 50± 0,16, 61+0,16

М5

5. Габаритные и присоединительные размеры охладителей для модулей силовых полупроводниковых приборов должны соответствовать указанным на черт, бив табл. 6.

mm

Таблица 6

в

F

L

Dz

W4

65—0.74

т

ЮО-0,87

г*

со

О

)

сэ

о

140-1

280-1,15

80±0,2

Мб

170

70-1,9

200

45—i,6

130-,,

200-Ы5

70-1,9

Конец

1

Дескрипторы Тезауруса СЭВ по стандартизации выделены полужирным шрифтом.

Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов, 123840, Москва, ГСП,

Новопресненский пер., 3.

Калужская типография стандартов, ул Московская, 256. Зак. 1047